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A highly linear temperature sensor using GaN-on-SiC heterojunction diode for high power applications

paper in IEEE Electron Device Letters

Binding energies of positive and negative trions: From quantum wells to quantum dots

artículo científico publicado en 2005

Confocal Raman depth-profile analysis of the electrical and structural properties in III-nitride structures

artículo científico publicado en 2011

Confocal Raman depth-scanning spectroscopic study of phonon−plasmon modes in GaN epilayers

artículo científico publicado en 2011

Correlation between photoluminescence and morphology for single layer self-assembled InGaAs/GaAs quantum dots

scientific article published on 01 September 2018

Effects of AlGaAs cladding layers on the luminescence of GaAs/GaAs1-xBix/GaAs heterostructures.

artículo científico publicado en 2013

Engineering of 3D self-directed quantum dot ordering in multilayer InGaAs/GaAs nanostructures by means of flux gas composition.

artículo científico publicado en 2008

Experimental characterization of a fully polarimetric pulsed terahertz spectroscopy system

artículo científico publicado en 2024

High temperature capacitors using AlN grown by MBE as the dielectric

artículo científico publicado en 2018

Infrared Reflectance Analysis of Epitaxial n-Type Doped GaN Layers Grown on Sapphire.

artículo científico publicado en 2017

Investigation of electrically active defects in InGaAs quantum wire intermediate-band solar cells using deep-level transient spectroscopy technique

artículo científico publicado en 2016

Measuring the depth profiles of strain/composition in AlGaN-graded layer by high-resolution x-ray diffraction

article

Mechanism of strain-influenced quantum well thickness reduction in GaN/AlN short-period superlattices.

artículo científico publicado en 2014

Optical Pumping of the Electronic and Nuclear Spin of Single Charge-Tunable Quantum Dots

artículo científico publicado en 2005

Optical and structural study of deformation states in the GaN/AlN superlattices

Optical signatures of coupled quantum dots

artículo científico publicado en 2006

Photoluminescence characterization of interlayer carrier injection from InGaAs quantum well to InGaAs surface quantum dots with respect to GaAs spacer thickness

artículo científico publicado en 2023

Polarization Effects in Graded AlGaN Nanolayers Revealed by Current-Sensing and Kelvin Probe Microscopy

artículo científico publicado en 2018

Polarization induced pn-junction without dopant in graded AlGaN coherently strained on GaN

artículo científico publicado en 2012

Polarized Fine Structure in the Photoluminescence Excitation Spectrum of a Negatively Charged Quantum Dot

artículo científico publicado en 2005

Spatial distribution of free carrier concentration in vertical GaN Gunn-diode structures studied by confocal micro-Raman spectroscopy and Kelvin probe force microscopy

artículo científico publicado en 2014

State filling dependent luminescence in hybrid tunnel coupled dot–well structures

artículo científico publicado en 2012

Substrate effects on the strain relaxation in GaN/AlN short-period superlattices.

artículo científico publicado en 2012

Suppression of Dyakonov-Perel Spin Relaxation in High-Mobilityn-GaAs

artículo científico publicado en 2004

Temperature dependent correlation of Hall effect and optical measurements of electron concentration in degenerate InN thin film

artículo científico publicado en 2023

Tuning the optical performance of surface quantum dots in InGaAs/GaAs hybrid structures

artículo científico publicado en 2007

X-ray Reciprocal Space Mapping of Graded Al x Ga1 - x N Films and Nanowires

artículo científico publicado en 2016

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