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High Aspect Ratio β-Ga2O3 Fin Arrays with Low-Interface Charge Density by Inverse Metal-Assisted Chemical Etching

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Descripción
Autoría

autor: Munho Kim  Xiuling Li  Jian-Min Zuo  Hsien-Chih Huang  Yuhui Ma 

Fecha de publicación 24 de junio de 2019
Idioma
País de origen
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