Robust Impact-Ionization Field-Effect Transistor Based on Nanoscale Vertical Graphene/Black Phosphorus/Indium Selenide Heterostructures

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Descripción	artículo científico publicado en 2019
Autoría	autor: Binjie Zheng  Xiaomu Wang  Lili Zhang
Fecha de publicación	30 de diciembre de 2019
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Estatus de derecho de autor	Desconocido
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