Reduction of Threshold Voltage Hysteresis of MoS2 Transistors with 3-Aminopropyltriethoxysilane Passivation and Its Application for Improved Synaptic Behavior

Imagen
Descripción	artículo científico publicado en 2019
Autoría	autor: Hyun-Yong Yu  Gwang-Sik Kim  Jin-Hong Park
Fecha de publicación	30 de mayo de 2019
Idioma
País de origen
Enlace a Wikipedia
Estatus de derecho de autor	Desconocido
¿Datos faltantes/errados?	Editar ítem de Wikidata