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Highly Uniform Resistive Switching Performances Using Two-Dimensional Electron Gas at a Thin-Film Heterostructure for Conductive Bridge Random Access Memory

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Descripción artículo científico publicado en 2019
Autoría

autor: Ji-Yong Park  Tae Joo Park  Sang Woon Lee 

Fecha de publicación 6 de agosto de 2019
Idioma
País de origen
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Estatus de derecho de autor Desconocido
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