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Resistive Switching and Charge Transport in Laser-Fabricated Graphene Oxide Memristors: A Time Series and Quantum Point Contact Modeling Approach

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Descripción
Autoría

autor: Juan Bautista Roldan Aranda  Francisco J Romero  Francisco Jiménez-Molinos  Francisco J. Garcia Ruiz  Ana M Aguilera  Noel Rodriguez  Francisco Javier Alonso Morales  Andres Godoy 

Fecha de publicación 13 de noviembre de 2019
Idioma
País de origen
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