Low-Temperature Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition of Tin(IV) Oxide from a Functionalized Alkyl Precursor: Fabrication and Evaluation of SnO2-Based Thin-Film Transistor Devices

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Descripción	artículo científico publicado en 2019
Autoría	autor: Lukas Mai  Claudia Bock  Q58811370  David Zanders  Christian Hoppe  Anjana Devi
Fecha de publicación	9 de enero de 2019
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