Photoluminescence of planar and 3D InGaN/GaN LED structures excited with femtosecond laser pulses close to the damage threshold

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Descripción	artículo científico publicado en 2018
Autoría	autor: Tobias Voss
Fecha de publicación	1 de agosto de 2018
Idioma
País de origen
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Acceder a la obra	https://www.ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6070511
Estatus de derecho de autor	Desconocido
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