A differential Hall effect measurement method with sub-nanometre resolution for active dopant concentration profiling in ultrathin doped Si1-x Ge x and Si layers

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Descripción	artículo científico publicado en 2018
Autoría	autor: Sébastien Kerdilès  Pablo Acosta-Alba
Fecha de publicación	5 de julio de 2018
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Estatus de derecho de autor	Desconocido
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