All-Inorganic Bismuth Halide Perovskite-Like Materials A3Bi2I9 and A3Bi1.8Na0.2I8.6 (A = Rb and Cs) for Low-Voltage Switching Resistive Memory

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Descripción	artículo científico publicado en 2018
Autoría	autor: Donghwa Lee  Nam-Gyu Park
Fecha de publicación	22 de agosto de 2018
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