Formation of the Conducting Filament in TaO x-Resistive Switching Devices by Thermal-Gradient-Induced Cation Accumulation

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Descripción	artículo científico publicado en 2018
Autoría	autor: David A Cullen  Yuanzhi Ma  Marek Skowronski  Brian T Sneed
Fecha de publicación	29 de junio de 2018
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Estatus de derecho de autor	Desconocido
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