Schottky Barrier Height Engineering for Electrical Contacts of Multilayered MoS2 Transistors with Reduction of Metal-Induced Gap States
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| Descripción | |
| Autoría |
autor: Hyun-Yong Yu Seung-Hwan Kim Jiyoung Kim Gwang-Sik Kim |
| Fecha de publicación | 6 de junio de 2018 |
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| País de origen | |
| Enlace a Wikipedia | |
| Estatus de derecho de autor | Desconocido |
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