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Growth by molecular beam epitaxy and properties of inclined GaN nanowires on Si(001) substrate

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Descripción artículo científico publicado en 2014
Autoría

autor: Marta Sobanska  Jolanta Borysiuk  Kamil Klosek  Zbigniew Zytkiewicz  Krzysztof Korona 

Fecha de publicación 5 de marzo de 2014
Idioma
País de origen
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