Strain-induced quantum confinement of carriers due to extended defects in silicon
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|---|---|
| Descripción | artículo científico publicado en 1990 |
| Autoría |
autor: Gottlieb S Oehrlein Helge Weman |
| Fecha de publicación | 1 de agosto de 1990 |
| Idioma | inglés |
| País de origen | |
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| Estatus de derecho de autor | Desconocido |
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