Effects of thermal annealing on elimination of deep defects in amorphous In–Ga–Zn–O thin-film transistors - Dominio Público Uruguay

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Effects of thermal annealing on elimination of deep defects in amorphous In–Ga–Zn–O thin-film transistors

Autoría

Detalles de la obra

Fecha de publicación: septiembre 2016

Idioma: Desconocido

País de origen: Desconocido

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