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Amorphous pnictide semiconductor BaZn2As2 exhibiting high hole mobility

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Descripción
Autoría

autor: Min Liao  Hideo Hosono  Shigenori Ueda  Zewen Xiao 

Fecha de publicación 12 de diciembre de 2016
Idioma inglés
País de origen
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Estatus de derecho de autor Private domain
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