Valence band edge tail states and band gap defect levels of GaN bulk and In x Ga1− x N films detected by hard X-ray photoemission and photothermal deflection spectroscopy - Dominio Público Uruguay

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Valence band edge tail states and band gap defect levels of GaN bulk and In x Ga1− x N films detected by hard X-ray photoemission and photothermal deflection spectroscopy

Autoría

Detalles de la obra

Fecha de publicación: 25 de enero de 2018

Idioma: Desconocido

País de origen: Desconocido

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