Electronic transport properties of electron- and hole-doped semiconductingC1bHeusler compounds:NiTi1−xMxSn(M=Sc,V)
| Imagen |  |
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| Descripción | |
| Autoría |
autor: Benjamin Balke Gerhard H. Fecher Hubert Ebert Claudia Felser-Wenz Siham Ouardi Gregory Stryganyuk |
| Fecha de publicación | 11 de agosto de 2010 |
| Idioma | inglés |
| País de origen | |
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