Electrical Properties of Low-$V_{T}$ Metal-Gated n-MOSFETs Using $\hbox{La}_{2}\hbox{O}_{3}/\hbox{SiO}_{x}$ as Interfacial Layer Between HfLaO High-$\kappa$ Dielectrics and Si Channel - Dominio Público Uruguay

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Electrical Properties of Low-$V_{T}$ Metal-Gated n-MOSFETs Using $\hbox{La}_{2}\hbox{O}_{3}/\hbox{SiO}_{x}$ as Interfacial Layer Between HfLaO High-$\kappa$ Dielectrics and Si Channel

Autoría

Detalles de la obra

Fecha de publicación: mayo 2008

Idioma: Desconocido

País de origen: Desconocido

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