High quality 4H‐SiC epitaxial layers grown by chemical vapor deposition
| Imagen |  |
|---|---|
| Descripción | |
| Autoría | |
| Fecha de publicación | 13 de marzo de 1995 |
| Idioma | inglés |
| País de origen | |
| Enlace a Wikipedia | |
| Estatus de derecho de autor | Desconocido |
| ¿Datos faltantes/errados? | Editar ítem de Wikidata |