Radiation-induced defects in GaN bulk grown by halide vapor phase epitaxy
| Imagen |  |
|---|---|
| Descripción | |
| Autoría |
autor: Takeshi Ohshima Carl Hemmingsson Nguyen Tien Son Galia Pozina Erik Janzén |
| Fecha de publicación | 8 de septiembre de 2014 |
| Idioma | inglés |
| País de origen | |
| Enlace a Wikipedia | |
| Estatus de derecho de autor | Desconocido |
| ¿Datos faltantes/errados? | Editar ítem de Wikidata |