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Quasi-free-standing monolayer and bilayer graphene growth on homoepitaxial on-axis 4H-SiC(0 0 0 1) layers

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Descripción
Autoría

autor: Jawad ul Hassan  Erik Janzén  Ivan G. Ivanov  Niklas Rorsman 

Fecha de publicación febrero 2015
Idioma
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Estatus de derecho de autor Desconocido
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