Influence of a GaN Cap Layer on the Morphology and the Physical Properties of Embedded Self-Organized InN Quantum Dots on GaN(0001) Grown by Metal–Organic Vapour Phase Epitaxy

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Descripción
Autoría	autor: Sławomir Kret  Markus Pristovsek  Michael Kneissl
Fecha de publicación	22 de marzo de 2011
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