Characteristics of GaN-based light emitting diodes with different thicknesses of buffer layer grown by HVPE and MOCVD
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| Descripción | |
| Autoría |
autor: Martin D. Dawson Paul R Edwards Robert Martin Pengfei Tian |
| Fecha de publicación | 23 de enero de 2017 |
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| País de origen | |
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| Estatus de derecho de autor | Desconocido |
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