Engineering carrier confinement potentials in 1.3-μm InAs/GaAs quantum dots with InAlAs layers: Enhancement of the high-temperature photoluminescence intensity

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Descripción
Autoría	autor: Mark Hopkinson  Maurice S Skolnick  David J. Mowbray
Fecha de publicación	3 de noviembre de 2003
Idioma	inglés
País de origen
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Estatus de derecho de autor	Private domain
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