Temperature-induced carrier escape processes studied in absorption of individualInxGa1−xAsquantum dots
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| Descripción | |
| Autoría |
autor: Mark Hopkinson Maurice S Skolnick David J. Mowbray Alexander I Tartakovskii |
| Fecha de publicación | 22 de abril de 2004 |
| Idioma | inglés |
| País de origen | |
| Enlace a Wikipedia | |
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