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p-doped 1.3μm InAs∕GaAs quantum-dot laser with a low threshold current density and high differential efficiency

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Descripción
Autoría

autor: Mark Hopkinson  Maurice S Skolnick  David J. Mowbray  Kristian Groom 

Fecha de publicación 14 de agosto de 2006
Idioma inglés
País de origen
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Estatus de derecho de autor Private domain
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