Influence of the As overpressure during the molecular beam epitaxy growth of Si‐doped (211)A and (311)A GaAs
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| Descripción | |
| Autoría |
autor: M. Henini |
| Fecha de publicación | 22 de mayo de 1995 |
| Idioma | inglés |
| País de origen | |
| Enlace a Wikipedia | |
| Estatus de derecho de autor | Desconocido |
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