A comparison of Si-doped (100), (111) A, (111) B and (311) B AlxGa1-xAs samples grown by molecular beam epitaxy
| Imagen |  |
|---|---|
| Descripción | |
| Autoría |
autor: M. Henini |
| Fecha de publicación | 1 de enero de 1995 |
| Idioma | |
| País de origen | |
| Enlace a Wikipedia | |
| Estatus de derecho de autor | Desconocido |
| ¿Datos faltantes/errados? | Editar ítem de Wikidata |