Effect of epitaxial layer thickness on the deep level defects in MBE grown n-type Al0.33Ga0.67As
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| Descripción | |
| Autoría |
autor: M. Henini |
| Fecha de publicación | 29 de mayo de 2012 |
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| País de origen | |
| Enlace a Wikipedia | |
| Estatus de derecho de autor | Desconocido |
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