Deep traps and temperature effects on the capacitance of p-type Si-doped GaAs Schottky diodes on (211) and (311) oriented GaAs substrates
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| Descripción | |
| Autoría |
autor: M. Henini |
| Fecha de publicación | enero 2014 |
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| País de origen | |
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| Estatus de derecho de autor | Desconocido |
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