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Ab Initio Study of Growth Mechanism of 4H–SiC: Adsorption and Surface Reaction of C2H2, C2H4, CH4, and CH3

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Descripción
Autoría

autor: Olof Kordina  Lars Ojamäe  Erik Janzén  Örjan Danielsson 

Fecha de publicación 10 de enero de 2017
Idioma
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