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InGaN laser diodes operating at 450–460 nm grown by rf-plasma MBE

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Descripción
Autoría

autor: Henryk Turski  Szymon Grzanka  Anna Feduniewicz-Żmuda  Grzegorz Muziol  Marcin Siekacz  Julita Smalc-Koziorowska  Sylwester Porowski  Marta Sawicka 

Fecha de publicación marzo 2012
Idioma
País de origen
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