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AlGaN cladding-free 482 nm continuous wave nitride laser diodes grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy

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Descripción
Autoría

autor: Henryk Turski  Szymon Grzanka  Paweł Wolny  Grzegorz Cywiński  Grzegorz Muziol  Julita Smalc-Koziorowska  Zbig R. Wasilewski  Piotr Perlin  C. Skierbiszewski 

Fecha de publicación marzo 2014
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