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Strain relaxation in semipolar (202¯1) InGaN grown by plasma assisted molecular beam epitaxy

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Descripción
Autoría

autor: Henryk Turski  Grzegorz Muziol  Marcin Siekacz  Julita Smalc-Koziorowska  Marta Sawicka 

Fecha de publicación 14 de mayo de 2016
Idioma
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