Investigation of theDXcenter in heavily dopedn-GaAs
| Imagen |  |
|---|---|
| Descripción | artículo científico publicado en 1987 |
| Autoría |
autor: Moti Heiblum Laurence Eaves |
| Fecha de publicación | 1 de agosto de 1987 |
| Idioma | inglés |
| País de origen | |
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