Comment on “AlN/GaN double-barrier resonant tunneling diodes grown by rf-plasma-assisted molecular-beam epitaxy” [Appl. Phys. Lett. 81, 1729 (2002)]

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Descripción	artículo científico publicado en 2003
Autoría	autor: Oleg Makarovsky  Tom Foxon  Laurence Eaves
Fecha de publicación	27 de octubre de 2003
Idioma	inglés
País de origen
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Estatus de derecho de autor	Private domain
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