Temperature Dependence of Photoluminescence from Epitaxial InGaAs/GaAs Quantum Dots with High Lateral Aspect Ratio
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| Descripción | artículo científico publicado en 2011 |
| Autoría |
autor: Alfred Forchel Paweł Podemski Johann Peter Reithmaier Andreas Löffler Stephan Reitzenstein Jan Misiewicz Sven Höfling |
| Fecha de publicación | noviembre 2011 |
| Idioma | |
| País de origen | |
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