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Improved performance of 1.3μm multilayer InAs quantum-dot lasers using a high-growth-temperature GaAs spacer layer
artículo científico publicado en 2004
Autoría
Detalles de la obra
Fecha de publicación:
2 de agosto de 2004
Idioma:
inglés
País de origen:
Desconocido
Estado de los derechos de autor
Dominio público