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Nucleation mechanism of GaN nanowires grown on (111) Si by molecular beam epitaxy
artículo científico publicado en 2009
Autoría
Detalles de la obra
Fecha de publicación:
16 de septiembre de 2009
Idioma:
Desconocido
País de origen:
Desconocido
Estado de los derechos de autor
Dominio público