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Study of the Hole Transport Processes in Solution-Processed Layers of the Wide Bandgap Semiconductor Copper(I) Thiocyanate (CuSCN)

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Descripción artículo científico publicado en 2015
Autoría

autor: Pichaya Pattanasattayavong  Feng Yan  Thomas D. Anthopoulos 

Fecha de publicación 8 de octubre de 2015
Idioma inglés
País de origen
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Estatus de derecho de autor Desconocido
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