In-situ doped and tensily stained ge junctionless gate-all-around nFETs on SOI featuring I on = 828 µA/µm, I on /I off ∼ 1×10 5 , DIBL= 16–54 mV/V, and 1.4X external strain enhancement

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Descripción	artículo científico publicado en 2014
Autoría	autor: Huang-Siang Lan
Fecha de publicación	diciembre 2014
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Estatus de derecho de autor	Desconocido
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