High performance Ge junctionless gate-all-around NFETs with simultaneous I on =1235 μA/μm at V ov =V ds =1V, SS=95 mV/dec, high I on /I off =2×106, and reduced noise power density using S/D dopant recovery by selective laser annealing

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Descripción	artículo científico publicado en 2016
Autoría	autor: Huang-Siang Lan
Fecha de publicación	diciembre 2016
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Estatus de derecho de autor	Desconocido
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