Correction: High-Performance ZnO Transistors Processed Via an Aqueous Carbon-Free Metal Oxide Precursor Route at Temperatures Between 80-180 °C

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Descripción
Autoría	autor: Martyn A McLachlan  Hendrik Faber  Yen-Hung Lin  Thomas D. Anthopoulos
Fecha de publicación	9 de septiembre de 2013
Idioma	inglés
País de origen
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Estatus de derecho de autor	Desconocido
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