Indium incorporation in In-richInxGa1−xAs∕GaAslayers grown by low-pressure metalorganic vapor-phase epitaxy and its influence on the growth of self-assembled quantum dots

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Descripción
Autoría	autor: Gilles Patriarche  Isabelle Sagnes
Fecha de publicación	11 de enero de 2006
Idioma	inglés
País de origen
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Estatus de derecho de autor	Desconocido
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