Nanoscale molybdenum gates fabricated by low damage inductively coupled plasma SF6/C4F8 etching suitable for high performance compound semiconductor transistors

Imagen
Descripción
Autoría	autor: Mohamed Missous
Fecha de publicación	junio 2015
Idioma
País de origen
Enlace a Wikipedia
Estatus de derecho de autor	Desconocido
¿Datos faltantes/errados?	Editar ítem de Wikidata