Why graphene growth is very different on the C face than on the Si face of SiC: Insights from surface equilibria and the(3×3)−3C−SiC(1¯1¯1¯)reconstruction - Dominio Público Uruguay

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Why graphene growth is very different on the C face than on the Si face of SiC: Insights from surface equilibria and the(3×3)−3C−SiC(1¯1¯1¯)reconstruction

Autoría

Detalles de la obra

Fecha de publicación: 17 de abril de 2015

Idioma: inglés

País de origen: Desconocido

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