Suppressing the Initial Growth of Sidewall GaN by Modifying Micron-Sized Patterned Sapphire Substrate with H₃PO₄-Based Etchant

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Descripción	artículo científico publicado en 2018
Autoría	autor: Jinn-Kong Sheu
Fecha de publicación	26 de noviembre de 2018
Idioma	inglés
País de origen
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Estatus de derecho de autor	Desconocido
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