A Low-Field Mobility Model for Bulk, Ultrathin Body SOI and Double-Gate n-MOSFETs With Different Surface and Channel Orientations—Part I: Fundamental Principles - Dominio Público Uruguay

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A Low-Field Mobility Model for Bulk, Ultrathin Body SOI and Double-Gate n-MOSFETs With Different Surface and Channel Orientations—Part I: Fundamental Principles

Autoría

Detalles de la obra

Fecha de publicación: julio 2010

Idioma: Desconocido

País de origen: Desconocido

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