Air-Stable Solution-Processed Hybrid Transistors with Hole and Electron Mobilities Exceeding 2 cm2 V−1 s−1
| Imagen |  |
|---|---|
| Descripción | |
| Autoría |
autor: Donal Bradley Jeremy Smith Iain McCulloch Thomas D. Anthopoulos George Adamopoulos Martin J. Heeney |
| Fecha de publicación | 1 de agosto de 2010 |
| Idioma | inglés |
| País de origen | |
| Enlace a Wikipedia | |
| Estatus de derecho de autor | Private domain |
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